[发明专利]磁场传感器装置有效

专利信息
申请号: 201910377513.7 申请日: 2019-05-07
公开(公告)号: CN110456289B 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: M·莫茨 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01R33/07 分类号: G01R33/07
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种磁场传感器装置(10)。根据实施例的磁场传感器装置在此具有线圈(15)和磁场传感器(17)。承载线圈(15)和磁场传感器(17)的芯片(13)布置在引线框(11)上。引线框具有凹槽(12)。
搜索关键词: 磁场 传感器 装置
【主权项】:
1.一种磁场传感器装置(10;100),具有:/n芯片(13),其中,所述芯片具有磁场传感器(17;17A)和线圈(15;15A);以及/n引线框(11),所述引线框由导电材料制成,其中,所述引线框(11)具有凹槽(12;12A),/n其中,所述线圈(15;15A)、所述磁场传感器(17;17A)和所述凹槽(12;12A)布置成,使得在所述磁场传感器(17;17A)和所述凹槽(12;12A)在由线圈(15;15A)的线匝确定的平面上的正交投影的情况中:/n所述磁场传感器(17;17A)布置在由所述线圈(15;15A)的外线匝包围的表面(115)内,/n所述磁场传感器(17;17A)的至少75%的敏感表面位于所述凹槽(12;12A)内,并且/n由所述线圈(15;15A)的外线匝包围的所述表面(115)至少有25%位于所述凹槽(12;12A)内。/n
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