[发明专利]一种纳米半导体光催化剂及其制备方法在审
| 申请号： | 201910352085.2 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110227492A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 陈加藏;乔玮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院山西煤炭化学研究所 |
| 主分类号： | B01J27/04 | 分类号： | B01J27/04;B01J23/52;B01J23/80;B01J27/051;B01J27/185;B01J27/24;B01J27/057;B01J27/224;B01J23/44;B01J35/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 030001 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米半导体光催化剂及其制备方法，属于光催化剂领域。本发明在纳米半导体光催化剂表面构筑具有电子隧穿功能的超薄电子媒介层，旨在降低纳米半导体光催化剂与还原助催化剂间的电子转移能耗，促进界面电荷转移，改善光催化性能。特别是，本发明由于构筑了具有促进电子隧穿功能的电子媒介层，降低界面电荷转移能耗，可使光催化在弱光如太阳光下实现可观的化学反应速率。此外，本发明构筑的电子媒介层，可使催化剂保持良好的稳定性。本发明通过构筑具有电子隧穿功能的电子媒介层，对于实现直接太阳光催化具有最大意义。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米半导体光催化剂 电子媒介 电子隧穿 构筑 界面电荷 太阳光 制备 能耗 化学反应 光催化性能 电子转移 光催化剂 助催化剂 光催化 弱光 催化剂 催化 还原 | ||
【主权项】：
1.一种纳米半导体光催化剂，其包括纳米半导体催化剂本体和附着在其表面的具有促进电子隧穿功能的电子媒介层，在所述具有促进电子隧穿功能的电子媒介层上还负载有还原助催化剂。
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