[发明专利]一种电压检测电路有效
申请号: | 201910351678.7 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN110007127B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 王飞;王红义;吴凯 | 申请(专利权)人: | 西安华泰半导体科技有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710075 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种电压检测电路,所述电路中的电阻R206、电阻R207、NMOS晶体管MN201、NMOS晶体管MN202、NMOS晶体管MN203组成的电路产生与输入电压VIN有关的偏置电流,PMOS晶体管MP201、PMOS晶体管MP202和PMOS晶体管MP203组成电流镜,PMOS晶体管MP202的电流流入第一节点,PMOS晶体管MP203的电流流入第二节点,第一节点电压通过电阻R201和电阻R204分压得到第三节点电压,第二节点电压通过电阻R203和电阻R205分压得到第四节点电压,比较器的正向输入端接第四节点,比较器的负向输入端接第三节点。该电路具有结构简单,工作电压低,功耗低,占用芯片面积小的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 电压 检测 电路 | ||
【主权项】:
1.一种电压检测电路,其特征在于,包括电阻R201、电阻R202、电阻R203、电阻R204、电阻R205、PMOS晶体管MP201、PMOS晶体管MP202、PMOS晶体管MP203、PNP三极管Q21和PNP三极管Q22;PNP三极管Q21的发射极、PMOS晶体管MP202的漏极和电阻R201的一端连接于第一节点;PNP三极管Q22的发射极与电阻R202一端相连,电阻R202的另外一端、电阻R203的一端与PMOS晶体管MP203的漏极连接于第二节点;电阻R201的另外一端与电阻R204连接于第三节点;电阻R203的另外一端与电阻R205的一端连接于第四节点;PMOS晶体管MP201、PMOS晶体管MP202、PMOS晶体管MP203组成电流镜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安华泰半导体科技有限公司,未经西安华泰半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910351678.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种直流母线电压隔离检测电路
- 下一篇:一种低压低频小信号电流检测电路