[发明专利]一种频率可主动调谐的太赫兹超材料吸波器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201910343763.9 申请日: 2019-04-26
公开(公告)号: CN110011068B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 王俊林;王鑫 申请(专利权)人: 内蒙古大学
主分类号: H01Q17/00 分类号: H01Q17/00;G02B5/00;G02B1/00
代理公司: 合肥市泽信专利代理事务所(普通合伙) 34144 代理人: 方荣肖
地址: 010021 内蒙古自*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要: 发明公开了一种频率可主动调谐的太赫兹超材料吸波器及其制造方法,该吸波器包括底层结构、中间介质层以及顶层谐振结构。底层结构包括至少一层金属薄膜,中间介质层固定在底层结构上。顶层谐振结构固定在中间介质层上,顶层谐振结构包括呈阵列排布的多个金属谐振结构。多个金属谐振结构均固定在中间介质层远离底层结构的同一端面上。每个金属谐振结构内部设置谐振腔,谐振腔与金属谐振结构均呈十字形且中心重合。金属薄膜和金属谐振结构均由铜制得,中间介质层由柔性PDMS材料制得,谐振腔内填充SrTiO3材料。本发明的吸波器实现了对入射电磁波的有效控制,实现了超材料吸波频率的大幅度调谐,克服了超材料吸波特性被动调谐方法的局限性。
搜索关键词: 一种 频率 主动 调谐 赫兹 材料 吸波器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种频率可主动调谐的太赫兹超材料吸波器,其包括:底层结构(1),其包括至少一层金属薄膜;中间介质层(2),其固定在底层结构(1)上;中间介质层(2)与底层结构(1)相连的两个端面重合;以及顶层谐振结构(3),其固定在中间介质层(2)上;其特征在于,顶层谐振结构(3)包括呈阵列排布的多个金属谐振结构(5);多个金属谐振结构(5)均固定在中间介质层(2)远离底层结构(1)的同一端面上;每个金属谐振结构(5)内部设置谐振腔(4),谐振腔(4)与对应的金属谐振结构(5)均呈十字形且中心重合;所述金属薄膜和金属谐振结构(5)均由铜制得,中间介质层(2)由柔性PDMS材料制得,谐振腔(4)内填充SrTiO3材料。
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