[发明专利]一种频率可主动调谐的太赫兹超材料吸波器及其制造方法有效
申请号: | 201910343763.9 | 申请日: | 2019-04-26 |
公开(公告)号: | CN110011068B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 王俊林;王鑫 | 申请(专利权)人: | 内蒙古大学 |
主分类号: | H01Q17/00 | 分类号: | H01Q17/00;G02B5/00;G02B1/00 |
代理公司: | 合肥市泽信专利代理事务所(普通合伙) 34144 | 代理人: | 方荣肖 |
地址: | 010021 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种频率可主动调谐的太赫兹超材料吸波器及其制造方法,该吸波器包括底层结构、中间介质层以及顶层谐振结构。底层结构包括至少一层金属薄膜,中间介质层固定在底层结构上。顶层谐振结构固定在中间介质层上,顶层谐振结构包括呈阵列排布的多个金属谐振结构。多个金属谐振结构均固定在中间介质层远离底层结构的同一端面上。每个金属谐振结构内部设置谐振腔,谐振腔与金属谐振结构均呈十字形且中心重合。金属薄膜和金属谐振结构均由铜制得,中间介质层由柔性PDMS材料制得,谐振腔内填充SrTiO |
||
搜索关键词: | 一种 频率 主动 调谐 赫兹 材料 吸波器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种频率可主动调谐的太赫兹超材料吸波器,其包括:底层结构(1),其包括至少一层金属薄膜;中间介质层(2),其固定在底层结构(1)上;中间介质层(2)与底层结构(1)相连的两个端面重合;以及顶层谐振结构(3),其固定在中间介质层(2)上;其特征在于,顶层谐振结构(3)包括呈阵列排布的多个金属谐振结构(5);多个金属谐振结构(5)均固定在中间介质层(2)远离底层结构(1)的同一端面上;每个金属谐振结构(5)内部设置谐振腔(4),谐振腔(4)与对应的金属谐振结构(5)均呈十字形且中心重合;所述金属薄膜和金属谐振结构(5)均由铜制得,中间介质层(2)由柔性PDMS材料制得,谐振腔(4)内填充SrTiO3材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古大学,未经内蒙古大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910343763.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。