[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法在审
| 申请号： | 201910322990.3 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110033879A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 川上梨恵;梨木智刚;藤野望;佐佐和明;待永广宣;黑濑爱美;松田知也 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;C23C14/02;G06F3/044 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供具有透明导电层的电阻率低且厚度薄这样的特性、并且耐裂纹性优异的透明导电性薄膜及其制造方法。本实施方式的透明导电性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明导电层(3)。透明导电性薄膜(1)可以为长条状，且被卷绕成卷状。透明导电层(3)为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，残余应力为600MPa以下，电阻率为1.1×10‑4Ω·cm～3.0×10‑4Ω·cm，厚度为15nm～40nm。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电性薄膜 透明导电层 高分子薄膜 电阻率 基材 铟锡复合氧化物 残余应力 耐裂纹性 长条状 成卷状 结晶质 主表面 制造 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，其为具有高分子薄膜基材且在所述高分子薄膜基材的至少一个主表面上具有透明导电层的透明导电性薄膜，所述透明导电层为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，所述透明导电层的残余应力为600MPa以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10‑4Ω·cm～3.0×10‑4Ω·cm，所述透明导电层的厚度为15nm～40nm，电阻变化率为4.0以下。
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