[发明专利]一种产生双激子的等离激元纳米腔及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201910319704.8 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110018534A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陈杰;杜文娜;裘晓辉;刘新风 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/10;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，涉及一种产生双激子的等离激元纳米腔及其制备方法与应用，所述等离激元纳米腔包括从上至下的隔离层、发光材料层、二氧化硅层与银层，所述隔离层上设置有银纳米线。所述方法包括如下步骤：在基体上沉积银层，然后在银层上沉积二氧化硅层，得到材料A；在材料A表面的二氧化硅层表面涂覆发光材料层，然后在发光材料层表面涂覆隔离层，得到材料B；将银纳米线设置于材料B的隔离层的表面，得到所述等离激元纳米腔。本发明提供的等离激元纳米腔能够在室温、100mW/cm2的连续激光泵浦下产生双激子辐射，且制备方法简单，便于对双激子辐射的研究与应用。 | ||
| 搜索关键词： | 等离激元 隔离层 激子 发光材料层 制备 二氧化硅层 银纳米线 银层 半导体技术领域 二氧化硅层表面 应用 表面涂覆 沉积银层 从上至下 连续激光 辐射 泵浦 涂覆 沉积 研究 | ||
【主权项】：
1.一种产生双激子的等离激元纳米腔，其特征在于，所述等离激元纳米腔包括从上至下依次连接的隔离层、发光材料层、二氧化硅层与银层，所述隔离层上设置有银纳米线。
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