[发明专利]用于半导体制造部件的高纯度金属顶涂层在审
| 申请号： | 201910311013.3 | 申请日： | 2014-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN109989058A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | J·Y·孙;V·菲鲁兹多尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C24/04 | 分类号： | C23C24/04;C23C28/00;C25D11/04;C25D11/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于涂覆在用于等离子体蚀刻的半导体制造腔室中使用的部件的方法包括以下步骤：提供用于半导体制造腔室中的部件；将所述部件加载到沉积腔室中；将金属粉末冷喷涂覆到所述部件上以在所述部件上形成涂层；以及阳极化所述涂层以形成阳极化层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体制造 腔室 等离子体蚀刻 高纯度金属 沉积腔室 金属粉末 阳极化层 顶涂层 冷喷涂 阳极化 加载 涂覆 | ||
【主权项】：
1.一种制品，包括：部件，所述部件用于制造腔室；涂层，所述涂层在所述部件上；以及阳极化层，所述阳极化层形成在所述涂层上，其中所述阳极化层包括：低孔隙率层部分，所述低孔隙率层部分具有小于约40％至约50％的孔隙率；以及多孔的柱状层部分，所述多孔的柱状层部分具有约40％至50％的孔隙率并包括多个柱状纳米孔隙，所述多个柱状纳米孔隙具有约10nm至50nm的直径。
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