[发明专利]PS-b-PMA(Az)嵌段共聚物及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201910288022.5 申请日: 2019-04-11
公开(公告)号: CN110066370B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 陈爱华;屈婷 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: C08F293/00 分类号: C08F293/00;C08F220/36;C08F2/06;G03F7/09
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王文君;陈征
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供PS‑b‑PMA(Az)嵌段共聚物及其制备方法和应用,其中,PS‑b‑PMA(Az)嵌段共聚物具有如下结构:其中,x为0‑15,m为10‑800,n为2‑200。本发明通过两步ATRP方法合成PS‑b‑PMA(Az)嵌段共聚物,并通过旋涂成膜方式得到一定厚度的嵌段共聚物(BCP)薄膜。经过极短时间内低温热退火和反应离子刻蚀(RIE)后,即可得到在各种基板上垂直柱或层状取向的小尺寸PS光刻图案薄膜,该膜在无机纳米材料制备、微电子领域的发展和应用上具有重要的意义。
搜索关键词: ps pma az 共聚物 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种PS‑b‑PMA(Az)嵌段共聚物,其特征在于,具有如下结构:其中,x为0‑15,m为10‑800,n为2‑200;优选地x为1‑11,m为50‑200或25‑100或10‑100,n为2‑100或5‑70或45‑70;更优选地x=0,m=100,n=20;或x=6,m=100,n=23;或x=11,m=28,n=68;或x=11,m=42,n=16;或x=11,m=60,n=15;或x=11,m=100,n=44;或x=11,m=100,n=22;或x=11,m=100,n=18。
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