[发明专利]一种单磁芯四气隙开环霍尔电流传感器在审

专利信息
申请号: 201910285621.1 申请日: 2019-04-10
公开(公告)号: CN110095643A 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 谭超;龚晓辉;杨哲;乐周美;吴晨光;李兴林 申请(专利权)人: 三峡大学
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 宜昌市三峡专利事务所 42103 代理人: 吴思高
地址: 443002 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种单磁芯四气隙的开环霍尔电流传感器,包括一个磁环,所述磁环开设有四个宽度相同的开口气隙作为传感器磁路,每一个开口气隙处放置一个霍尔芯片,四个霍尔芯片输出端接入加法器。四个霍尔芯片特性完全一致。本发明一种单磁芯四气隙的开环霍尔电流传感器,该传感器能够在明显解决磁芯过饱和问题的同时,降低因导线位置而产生的误差。
搜索关键词: 霍尔电流传感器 霍尔芯片 单磁芯 开口气隙 磁环 开环 气隙 传感器磁路 导线位置 过饱和 加法器 输出端 传感器 磁芯
【主权项】:
1.一种单磁芯四气隙的开环霍尔电流传感器,包括一个磁环,其特征在于:所述磁环开设有四个宽度相同的开口气隙作为传感器磁路,每一个开口气隙处放置一个霍尔芯片,四个霍尔芯片输出端接入加法器。
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