[发明专利]一种横向纳米腔阵列结构SERS基底及其制备方法有效
| 申请号： | 201910265560.2 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110044866B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 张永军;温嘉红;王雅新;赵晓宇;陈雷;高稔现 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明属于纳米复合材料技术领域，尤其涉及一种横向纳米腔阵列结构SERS基底，由内部设有一个中空腔体的半开放空心微球构成，其在水平方向上设置有一个横向开孔，所述的半开放空心微球其内层为表面修饰了4‑MBA探针分子的TiO |
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| 搜索关键词： | 一种 横向 纳米 阵列 结构 sers 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向纳米腔阵列结构SERS基底，其特征在于，所述的横向纳米腔阵列由内部设有一个中空腔体的半开放空心微球构成，其在水平方向上设置有一个横向开孔，所述的半开放空心微球其内层为表面修饰了4‑MBA探针分子的TiO2薄膜，在TiO2薄膜外部还镀有一层贵金属薄膜。
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