[发明专利]臭氧/紫外辐射处理银纳米线嵌入PDMS的电容传感器在审
申请号: | 201910260104.9 | 申请日: | 2019-04-02 |
公开(公告)号: | CN111765911A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 邹强;马卓敏 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G01D5/24 | 分类号: | G01D5/24 |
代理公司: | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人: | 韩新城 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开臭氧/紫外辐射处理银纳米线嵌入PDMS的电容传感器,包括具有柱状微结构的PDMS介电层以及两个嵌有AgNWs的PDMS导电膜构成的电极,PDMS介电层制作是:分两次匀涂PMDS胶在载玻片上,第一次涂完后固化处理得到第一层PDMS膜,继续匀涂得到第二层PDMS膜,形成初步介电层;将具有孔洞的PCET模板放在第二层PDMS膜上抽真空处理,形成稳定的柱状微结构;洗除PCTE模板,初步形成具有柱状微结构的介电层;对柱状微结构进行臭氧/紫外辐射处理,形成具有柱状微结构的PDMS介电层。本发明既有很大压缩性的微结构和导电填充材料的柔性电极,又可保证传感器具有稳定高灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 臭氧 紫外 辐射 处理 纳米 嵌入 pdms 电容 传感器 | ||
【主权项】:
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