[发明专利]一种外延取向铌酸锂薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910236425.5 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109913813B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 郑大怀;李文灿;贾龙飞;宋少清;刘宏德;孔勇发;许京军 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28;C30B23/02;C30B29/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300071 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于铁电薄膜制备及其应用领域。铌酸锂靶材在高能脉冲激光的作用下形成等离子态余晖，之后沉积到衬底上形成薄膜，该方法制备的薄膜厚度均匀、致密性好，但容易出现复杂多晶的问题，限制了其在纳米铁电畴、片上集成光学等领域的应用。本发明公布一种基于脉冲激光沉积法结合两步控制氧气压制备良好外延取向铌酸锂薄膜的技术方法。薄膜沉积过程中，首先控制较高氧气压抑制其非特征晶向生长，然后控制较低氧气压促进其特征晶向择优生长。该方法解决了薄膜出现复杂多晶的问题，操作简捷、易于制备纳米级高质量外延取向铌酸锂薄膜。所制备薄膜可应用于制备波导、微腔、电光调制器等功能器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 取向 铌酸锂 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅(Si)衬底的纳米级外延取向铌酸锂薄膜，其特征为：衬底为单面抛光Si(111)基片，靶材为高温煅烧的近化学计量比铌酸锂，锂铌比([Li]/[Nb])为1，薄膜表现出铌酸锂(006)晶向和(018)晶向的特征取向，厚度为300～600nm，表面起伏均方差为5.840‑8.636nm。
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