[发明专利]一种集成离子收集电极的场发射器件结构及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910234327.8 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109935508B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 佘峻聪;吴淼;黄一峰;邓少芝;许宁生;陈军 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J29/54 | 分类号： | H01J29/54;H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种集成离子收集电极的场发射器件结构及其应用方法，所述器件结构包含由下往上依次层叠的阴极、第一绝缘层、电子发射控制电极、第二绝缘层和离子收集电极；所述离子收集电极为具有若干个微孔的平铺电极，微孔孔径为1.5～3.5μm；所述阴极、第一绝缘层、电子发射控制电极及第二绝缘层在微孔中向上凸起形成由内至外、由下往上依次套设的围合结构；所述微孔中的电子发射控制电极高出离子收集电极所在平面，形成火山口状栅孔，所述栅孔顶端与离子收集电极所在平面具有大于300nm的高度差；所述微孔中的阴极位于电子发射控制电极栅孔中，且不高于栅孔顶端；器件结构工作时，电子发射控制电极施加正偏压，离子收集电极施加负偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 离子 收集 电极 发射 器件 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种集成离子收集电极的场发射器件结构，其特征在于，包含由下往上依次层叠的阴极、第一绝缘层、电子发射控制电极、第二绝缘层和离子收集电极；所述离子收集电极为具有若干个微孔的平铺电极，微孔孔径为1.5～3.5μm；所述阴极、第一绝缘层、电子发射控制电极及第二绝缘层在微孔中向上凸起形成由内至外、由下往上依次套设的围合结构；所述微孔中的电子发射控制电极高出离子收集电极所在平面，形成火山口状栅孔，所述栅孔顶端与离子收集电极所在平面具有大于300nm的高度差；所述微孔中的阴极位于电子发射控制电极栅孔中，且不高于栅孔顶端；场发射器件结构工作时，电子发射控制电极施加正偏压，离子收集电极施加负偏压。
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