[发明专利]一种调整单晶炉加热器功率的方法及单晶炉在审
| 申请号： | 201910214827.5 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109750350A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 魏国锋;白喜军;杨正华;刘平虎;段丽超;李宗飞;孙杨杨;高孝文 | 申请（专利权）人： | 丽江隆基硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 674802 云南省丽*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种调整单晶炉加热器功率的方法、单晶炉及计算机可读存储介质，涉及单晶硅技术领域。所述方法包括：实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例；根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围。一方面，上述加热方式能够满足坩埚内不同熔硅量对加热功率的需求，加热效率较高；另一方面，底加热器分担了部分加热功率，减少对主加热器的损耗，增加主加热器的寿命，有利于降低成本；主加热器及其周围的石墨器件中的杂质、底加热器及其周围的石墨器件中的杂质分解减少，有利于拉晶，有利于提升晶体品质。 | ||
| 搜索关键词： | 加热功率 主加热器 单晶炉 坩埚 底加热器 加热器功率 石墨器件 熔硅 预设 计算机可读存储介质 单晶硅 加热方式 加热效率 晶体品质 实时获取 杂质分解 总物料 拉晶 分担 升高 | ||
【主权项】：
1.一种调整单晶炉加热器功率的方法，其特征在于，所述方法包括：实时获取坩埚内熔硅占所述坩埚内总物料的质量比例；根据所述质量比例，调整所述坩埚的位置，降低主加热器的加热功率至第一预设加热功率范围，以及升高底加热器的加热功率至第二预设加热功率范围。
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