[发明专利]一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201910209417.1 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN109830886B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 关宝璐;张成龙;杨悦;吴宇辰 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/40;H01S5/30;H01S5/10;H01S5/04;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法，属于光学技术领域。包括半导体衬底，半导体增益谐振腔，绝缘介质层(3)，金属包裹层，在半导体衬底上有半导体增益谐振腔阵列，即在半导体衬底和半导体增益谐振腔阵列的表面设有绝缘介质层，绝缘介质层将每个半导体增益谐振腔包裹，同时绝缘介质层还保持半导体增益谐振腔阵列的图形，即形成半导体增益谐振腔‑绝缘介质层阵列，在绝缘介质层上设有金属包裹层，同时金属包裹层还填充了绝缘介质层上的阵列图形。本发明相邻谐振腔之间的表面等离子模式(倏逝波)相互之间可以进行互相耦合，从而提高了纳米激光器的性能，并实现超高密度等离子体激光器面阵输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耦合 增强 纳米 等离子体 激光器 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米等离子体激光器阵列，其特征在于，包括半导体衬底(1)，半导体增益谐振腔(2)，绝缘介质层(3)，金属包裹层(4)，在半导体衬底(1)上有半导体增益谐振腔(2)阵列，即在半导体衬底(1)和半导体增益谐振腔(2)阵列的表面设有绝缘介质层(3)，绝缘介质层(3)将每个半导体增益谐振腔(2)包裹，同时绝缘介质层(3)还保持半导体增益谐振腔(2)阵列的图形，即形成半导体增益谐振腔‑绝缘介质层阵列，在绝缘介质层(3)上设有金属包裹层(4)，金属包裹层(4)，同时金属包裹层(4)还填充了绝缘介质层(3)上的阵列图形。
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