[发明专利]一种以硒化铟与一价铜为中间体浸渍提拉工艺制备铜铟硒薄膜的方法

摘要

本发明公开一种以硒化铟与一价铜为中间体浸渍提拉工艺制备铜铟硒薄膜的方法，采用热注射法制备In2Se3纳米墨水，以In2Se3作为支撑层，通过与Cu+溶液在室温下进行叠层，硒化退火后得到CIS薄膜。在此过程中，In2Se3纳米墨水与Cu+溶液反复交替提拉，In2Se3不仅提供In和Se源，同时起到支撑的作用，使预制层薄膜的厚度在10次循环后达到2μm。In2Se3纳米粒子表面能高，叠层后界面具有高能量，烧结中高的界面能成为原子运动的驱动力，有利于界面附近的原子扩散、空洞收缩，此外Cu+与Se蒸气反应得到低熔液相Cu‑Se化合物，包裹In2Se3纳米粒子，有利于Cu与In相互扩散，从而得到致密的CIS薄膜。