[发明专利]一种Bi3+

摘要

本发明公开了一种Bi3+掺杂的紫外超长余辉发光材料，该紫外超长余辉发光材料的基质为LiMGeO4，其中M为Y或者Lu，在基质中掺杂Bi3+，Bi3+占所述长余辉材料的0.01mol％～5mol％。所述制备方法包括：按照化学计量比分别称取原料，研磨混合均匀，然而进行高温煅烧，冷却得到紫外超长余辉发光材料。本发明制备的超长余辉发光材料表现出很强的单带紫外长余辉发光，其长余辉发光峰值位于350nm左右，其长余辉发光时间远超72小时。本发明制备的紫外超长余辉发光材料在光动力治疗、光催化、杀菌消毒和防伪等领域具有潜在的应用价值。