[发明专利]一种超低衰减低串扰弱耦合五阶OAM光纤有效
申请号: | 201910170374.0 | 申请日: | 2019-03-07 |
公开(公告)号: | CN109738984B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 张睿;沈磊;周红燕;刘亚萍;张磊;罗杰 | 申请(专利权)人: | 长飞光纤光缆股份有限公司 |
主分类号: | G02B6/02 | 分类号: | G02B6/02;G02B6/036 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 胡建平 |
地址: | 430073 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种超低衰减低串扰弱耦合五阶OAM光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述芯层为三层,由内向外依次为第一芯层、第二芯层和第三芯层,第一芯层的Δ1为‑0.8%~‑0.4%,R1为6μm~9μm,第二芯层的Δ2为0.0%~0.55%,R2为8.5μm~11.5μm,第三芯层的Δ3为‑0.6%~0.15%,R3为10μm~13.5μm;且Δ2>Δ3>Δ1,3μm≤R3‑R1≤7μm,芯层外包覆有包层,所述的包层由一层下陷包层构成,或由下陷包层和纯二氧化硅玻璃外包层两层包层构成,所述的下陷包层为紧密围绕芯层的包层,Δ4为‑0.9%~‑0.6%,R4为40μm~62.5μm。本发明在1550nm通信波段最高支持五个阶数的OAM模式,不同阶数的非简并OAM模式之间具有较大的有效折射率差和较低的串扰,相同阶数的简并模之间具有较小的有效折射率差和较低的DGD。 | ||
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【主权项】:
1.一种超低衰减低串扰弱耦合五阶OAM光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述芯层为三层,由内向外依次为第一芯层、第二芯层和第三芯层,第一芯层的相对折射率差Δ1为‑0.8%~‑0.4%,半径R1为6μm~9μm,第二芯层的相对折射率差Δ2为0.0%~0.55%,半径R2为8.5μm~11.5μm,第三芯层的相对折射率差Δ3为‑0.6%~0.15%,半径R3为10μm~13.5μm;且Δ2>Δ3>Δ1,3μm≤R3‑R1≤7μm,芯层外包覆有包层,所述的包层由一层下陷包层构成,或由下陷包层和纯二氧化硅玻璃外包层两层包层构成,所述的下陷包层为紧密围绕芯层的包层,其相对折射率差Δ4为‑0.9%~‑0.6%,半径R4为40μm~62.5μm。
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