[发明专利]一种基于二维光栅的光吸收器及其制作方法在审
申请号: | 201910149527.3 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN109932765A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 顾豪爽;余念;王钊;胡永明;熊娟 | 申请(专利权)人: | 湖北大学 |
主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00 |
代理公司: | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 | 代理人: | 朱必武;刘丹 |
地址: | 430062 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开一种基于二维光栅的光吸收器及其制作方法,可实现对外来入射光不同频段的、高效率吸收。该光吸收结构包括由上而下的依次采用的金属网格层、介质层、金属阻挡层以及衬底,金属阻挡层满足入射光在介质层表面引发表面等离子体效应,同时入射光辐射在金属网格层和介质层界面处形成表面等离子体,两种在空间上分离的等离子体在介质层中进行对称等离子体耦合作用。本发明兼备对不同可见光波段的高效率吸收,同时可大大抑制吸光特性对入射光入射角度的敏感度。 | ||
搜索关键词: | 介质层 入射光 金属网格层 金属阻挡层 二维光栅 光吸收器 高效率 表面等离子体效应 等离子体 表面等离子体 等离子体耦合 光辐射 介质层表面 可见光波段 吸光特性 光吸收 界面处 敏感度 入射角 频段 衬底 入射 吸收 制作 对称 | ||
【主权项】:
1.一种基于二维光栅的光吸收器,其特征在于,该光吸收器结构包括由上而下的依次采用的金属网格层、介质层、金属阻挡层以及衬底,金属阻挡层满足入射光在介质层表面引发表面等离子体效应,同时入射光辐射在金属网格层和介质层界面处形成表面等离子体,两种在空间上分离的等离子体在介质层中进行对称等离子体耦合作用;所述金属网格层采用钯Pd,介质层采用二氧化硅SiO2,金属阻挡层采用金Au,衬底为硅片。
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