[发明专利]基于InGaN微米LED光电探测器阵列及其应用在审
| 申请号： | 201910136181.3 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN109861753A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 田朋飞;刘晓艳;林润泽;方志来;闫春辉;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H04B10/116 | 分类号： | H04B10/116;H04B10/69;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) 11226 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 基于InGaN微米LED光电探测器阵列，包括基底，以及在基底上阵列分布的多个微米LED器件，每个微米LED器件的基本结构为n‑GaN，InGaN/GaN量子阱，p‑GaN外延层结构,每个微米LED器件尺寸大小相等或者不等，为任意形状，典型的圆形微米LED的大小从1微米到500微米，微米LED的衬底为任意衬底。此外该光电探测器阵列还能够用于显示、照明和太阳能电池。本发明的光电探测器阵列能够用于高速并行可见光通信，并且通过1‑100μm的不同尺寸的光电探测器阵列证明在数Mbps到数Gbps具有较低的误码率。微米LED既能够用于高速光通信的发射器件和接收器件，又能够实现的并行传输数据，同时还可以将接收到的光信号转化为电流，作为太阳能电池使用，实现自供电。 | ||
| 搜索关键词： | 光电探测器阵列 探测器阵列 太阳能电池 衬底 基底 并行传输数据 高速光通信 光信号转化 可见光通信 大小相等 发射器件 高速并行 接收器件 量子阱 误码率 自供电 应用 | ||
【主权项】：
1.基于InGaN微米LED光电探测器阵列，其特征在于：包括基底，以及在基底上阵列分布的多个微米LED器件，每个微米LED器件的基本结构为n‑GaN，InGaN/GaN量子阱，p‑GaN外延层结构,每个微米LED器件尺寸大小相等或者不等，每个微米LED器件尺寸为任意形状，包括圆形、方形、多边形，微米LED的大小从1微米到100微米。
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