[发明专利]放射性同位素制造装置在审
| 申请号： | 201910115856.6 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN110176323A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 村上喜信;F·圭拉 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | G21G1/10 | 分类号： | G21G1/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 夏斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高放射性同位素的产量的放射性同位素制造装置。本发明的放射性同位素制造装置(1)具备：粒子加速器；第1靶部，从粒子加速器射出的带电粒子束射入并通过；及第2靶部，射入有通过了第1靶部的带电粒子束。在第1靶部(11)中，在射束通路(15)内保持有靶材(17)，且具有向靶材(17)喷吹冷却气体的冷却气体供给部(51)。在第2靶部(12)中，靶基板(35)保持于射束轴(B)上，且靶基板(35)中带电粒子束的下游侧的面被冷却水冷却。射束轴(B)上的第1靶部(11)的靶箔(16)的总厚度比射束轴(B)上的第2靶部(12)的靶基板(35)的厚度小。 | ||
| 搜索关键词： | 靶部 放射性同位素 带电粒子束 制造装置 靶基板 射束轴 粒子加速器 靶材 射入 冷却水冷却 冷却气体 喷吹冷却 供给部 厚度比 面被 射出 射束 | ||
【主权项】：
1.一种放射性同位素制造装置，其向靶材照射带电粒子束来制造放射性同位素，该放射性同位素制造装置具备：粒子加速器，沿规定的射束轴射出所述带电粒子束；第1靶部，从所述粒子加速器射出的所述带电粒子束射入并通过；及第2靶部，射入有通过了所述第1靶部的所述带电粒子束，所述第1靶部具有：射束通路，供所述带电粒子束通过；靶材保持部，在所述射束通路内，在所述射束轴上保持第1靶材；及冷却气体供给部，供给冷却所述第1靶材的冷却气体，所述第2靶部具有：基板保持部，将包括基板主体及设置于该基板主体的第2靶材的靶基板保持于所述射束轴上；及冷却水供给部，向所述靶基板中所述带电粒子束的下游侧的面供给冷却该靶基板的冷却水；所述射束轴上的所述第1靶部的所述第1靶材与所述靶材保持部的总厚度比所述射束轴上的所述靶基板的厚度小。
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