[发明专利]抵抗单粒子双翻转的锁存器结构

摘要

本发明涉及集成电路设计领域技术领域，尤其涉及一种抵抗单粒子双翻转的锁存器结构，其特征在于：包括四个输入分开的反相器IINV1‑4，四个基于门控的输入分开的反相器CG‑IINV1‑4，五个传输门TG1‑5，一个基于门控的三输入C单元CG‑MCE，一个反相器INV，工作电源为VDD，D为输入，Q为输出。本发明中提出的锁存器结构，在抵抗单粒子单翻转的基础上，同时具有抵抗单粒子双翻转的功能。

主权项

1.一种抵抗单粒子双翻转的锁存器结构，其特征在于：包括四个输入分开的反相器II NV1‑4，四个基于门控的输入分开的反相器CG‑II NV1‑4，五个传输门TG1‑5，一个基于门控的三输入C单元CG‑MCE，一个反相器I NV，工作电源为VDD，D为输入，Q为输出，各个组件的连接关系如下：反相器I NV输入接CLK，输出接NCK；II NV1的P端接节点I 1，N端接节点I 3，输出接节点I 2；II NV2的P端接节点I 3，N端接节点I5，输出接节点I4；II NV3的P端接节点I5，N端接节点I 7，输出接节点I 6；II NV4的P端接节点I 7，N端接节点I 1，输出接节点I 8；CG‑II NV1的P端接节点I 8，N端接节点I 2，输出接节点I 1，CLK端接NCK，NCK端接CLK；CG‑II NV2的P端接节点I 2，N端接节点I4，输出接节点I 3，CLK端接NCK，NCK端接CLK；CG‑II NV3的P端接节点I4，N端接节点I 6，输出接节点I5，CLK端接NCK，NCK端接CLK；CG‑II NV4的P端接节点I 6，N端接节点I 8，输出接节点I 7，CLK端接NCK，NCK端接CLK；CE1的A端接节点I4，B端接节点I 6，C端接节点I 8，CLK端接NCK，NCK端接CLK；TG1上端接NCK，下端接CLK，输入接D，输出接I 1；TG2上端接NCK，下端接CLK，输入接D，输出接I 3；TG3上端接NCK，下端接CLK，输入接D，输出接I5；TG4上端接NCK，下端接CLK，输入接D，输出接I 7；TG5上端接NCK，下端接CLK，输入接D，输出接Q。