[发明专利]一种SiC纳米线阵列薄膜的制备方法及其在超级电容器电极中的应用有效
| 申请号： | 201910091359.7 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109904004B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 刘乔;李维俊;陈善亮;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;H01G11/86 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315016 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC纳米线阵列薄膜的制备方法及其在超级电容器电极中的应用，属于微能源制造技术领域，制备方法包括：将SiC晶圆先切割成SiC晶片，再经清洗、浸泡、干燥处理；将干燥后的SiC晶片作为阳极，SiC晶片的C面接触电极夹，浸入刻蚀液中进行刻蚀处理后取出；将SiC晶片C面的背面接触电极夹，再次浸入刻蚀液中进行剥离处理得SiC纳米线阵列薄膜。本发明SiC纳米线阵列薄膜制备方法，工艺方法简单，具有很好的重复性，且剥离方法简单，剥离的SiC纳米线阵列薄膜完整，成功率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 纳米 阵列 薄膜 制备 方法 及其 超级 电容器 电极 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种SiC纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：将SiC晶圆先切割成SiC晶片，再经清洗、浸泡、干燥处理；将干燥后的SiC晶片作为阳极，SiC晶片的C面接触电极夹，浸入刻蚀液中进行刻蚀处理后取出；将SiC晶片C面的背面接触电极夹，再次浸入刻蚀液中进行剥离处理得SiC纳米线阵列薄膜。
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