[发明专利]一种新型的双向直流短路电流阻断电路拓扑结构及其控制策略

摘要

本发明涉及一种新型的双向直流短路电流阻断电路拓扑结构。所述电路包括两个输入输出端口P1和P2、一个电容C、两个单向晶闸管Q1、Q2和一个双向晶闸管Q3、两个开关管S1和S2、一个电阻R和一个压敏电阻MOV。应用时将本发明电路串联工作在直流电网中，由电流的阻断回路发挥作用，当发生短路故障后，若电流由P1流向P2，通过控制S1关断，可快速通过电容阻断短路电流；若电流由P2流向P1，通过控制S2关断，也可快速通过电容阻断短路电流。当阻断电路中的短路电流后，导通双向晶闸管Q3，形成电容的释放回路，消耗电容中剩余的电能，为下一次阻断做准备。本发明电路结构简单，动态响应速度快，并且可以双向阻断，适用于故障发展速度快的直流微电网。

主权项

1.一种新型的双向直流短路电流阻断电路拓扑结构，包括两个输入输出端口P1和P2、一个电容C、两个晶闸管Q1和Q2、一个双向晶闸管Q3、两个开关管S1和S2、一个电阻R和一个压敏电阻MOV，其特征在于：(1)开关管S1和S2为全控型半导体器件，包括但不限于IGBT、MOS管、GTO、IGCT器件；(2)开关管S1和S2并联连接；(3)晶闸管Q1和Q2反向并联后与电容C进行串联；(4)双向晶闸管Q3和电阻R串联后，与压敏电阻MOV并联，与电容C并联；(5)开关管S1的集电极与开关管S2的发射极，与晶闸管Q1的阳极，与晶闸管Q2的阴极相连；(6)开关管S1的发射极与开关管S2的集电极，与电阻R的一极，与电容C的一极，与压敏电阻MOV的一极相连；(7)电容C的一极与晶闸管Q1的阴极，与晶闸管Q2的阳极，与双向晶闸管Q3的阳极，与压敏电阻MOV的一极相连；(8)输入输出端口P1连接在开关管S1的集电极与开关管S2的发射极连接点处，输入输出端口P2连接在开关管S1的发射极与开关管S2的集电极连接点处。