[发明专利]一种直流电沉积制备铟纳米线的方法在审
| 申请号： | 201910067678.4 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109576735A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘志权;孟智超;陈丽娜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C25C1/22 | 分类号： | C25C1/22;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/20;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直流电沉积制备铟纳米线的方法，属于电子材料领域。该方法首先以纳米多孔聚碳酸酯膜或阳极氧化铝膜(AAO)为模板，通过磁控溅射的方法在模板底部溅射铬种子层，并在通孔底端以铜为底板，然后采用直流电镀方式从种子层底端向通孔内填充铟纳米线。本发明提出的直流电沉积填充方法可以获得组织性能稳定、高导电导热性、可塑性高等特点的铟纳米线。铟作为新型焊料的主要成分，其纳米形态的材料同样具有低成本、低熔点、良好的焊接能力和机械性能，以及与金属基体优异的润湿性，适用于自组装纳米结构之间的有效连接和互连，实现具有热功能和电功能的有效纳米级互连。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线 直流电沉积 种子层 互连 底端 通孔 制备 填充 机械性能 导热性 自组装纳米结构 底板 电子材料领域 阳极氧化铝膜 聚碳酸酯膜 采用直流 磁控溅射 金属基体 纳米多孔 纳米形态 新型焊料 有效连接 组织性能 低成本 低熔点 电功能 高导电 纳米级 热功能 润湿性 电镀 可塑性 溅射 焊接 | ||
【主权项】：
1.一种直流电沉积制备铟纳米线的方法，其特征在于：该方法首先在多孔模板的底部制备铬种子层，然后以铬种子层为阴极，纯铟为阳极，采用直流电沉积的方法从模板底部的铬种子层开始向上逐步填充，最终在多孔模板的纳米级孔洞中生长为铟纳米线。
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