[发明专利]一种钙钡硅铝玻璃基低介低温共烧陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910066881.X 申请日: 2019-01-24
公开(公告)号: CN111470778B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 李自豪;兰开东 申请(专利权)人: 上海晶材新材料科技有限公司
主分类号: C03C12/00 分类号: C03C12/00;C03B19/00;C03C14/00;C03B19/06
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 竺路玲
地址: 200000 上海市闵*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种钙钡硅铝玻璃基低介低温共烧陶瓷材料及其制备方法,所述的低温共烧陶瓷材料由CaO‑BaO‑SiO2‑Al2O3系统玻璃、二氧化硅和二氧化锆组成,其中CBSA玻璃质量分数为51%~58%,二氧化硅质量分数为28%~32%,氧化锆质量分数13%~17%。与现有材料相比,本发明所采用的原料成本较低,无铅无毒,可在820℃~880℃烧结致密,烧结温区较宽,介电常数为7.8~8.5,介电损耗为2.5*10‑3~3.5*10‑3,经流延工艺制成的生瓷带与金、银电极共烧匹配性好,工艺可操作性强,可实现批量化生产。
搜索关键词: 一种 钙钡硅铝 玻璃 基低介 低温 陶瓷材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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