[发明专利]一种Yb和Er共掺杂的氧化镓薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201910063284.1 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109852381A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 谷雪 | 申请（专利权）人： | 北京镓族科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/62 | 分类号： | C09K11/62;C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京清诚知识产权代理有限公司 11691 | 代理人： | 乔东峰;瞿朝兵 |
| 地址： | 101300 北京市顺义区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种增强近红外光致发光的Yb和Er共掺杂的氧化镓薄膜及其制备方法。本发明的氧化镓薄膜包括依次叠置的衬底和氧化镓薄膜，氧化镓薄膜为Yb和Er共掺杂的β‑Ga2O3薄膜，衬底为Al2O3衬底。本发明的方法采用激光脉冲沉积法生长氧化镓薄膜。本发明易于实现稀土离子掺杂浓度调控，工艺可控性强、容易操作。本发明制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一、且复性好，具有能显著增强氧化镓薄膜近红外发光的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镓 薄膜 共掺杂 衬底 制备 激光脉冲沉积法 稀土离子掺杂 致密 工艺可控性 近红外发光 薄膜表面 厚度稳定 近红外光 浓度调控 叠置 复性 均一 发光 生长 | ||
【主权项】：
1.一种Yb和Er共掺杂的氧化镓薄膜，包括依次叠置的衬底和氧化镓薄膜，其特征在于：所述氧化镓薄膜为Yb和Er共掺杂的β‑Ga2O3薄膜，所述衬底为Al2O3衬底。
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