[发明专利]金刚石中硅空位缺陷与GR1中性空位缺陷相互转化的方法在审
| 申请号： | 201910062973.0 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109796223A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王凯悦;丁森川;张宇飞;王宏兴;田玉明;武雅乔;力国民;周毅;郝建英;柴跃生 | 申请（专利权）人： | 太原科技大学 |
| 主分类号： | C04B41/00 | 分类号： | C04B41/00 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 赵禛 |
| 地址： | 030024 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及金刚石中硅空位缺陷与GR1中性空位缺陷相互转化的方法，属于半导体材料和金刚石后期处理技术领域，解决基于缺陷迁移及转化的技术问题，本方法包括以下步骤：S1、将金刚石切割后对金刚石样品进行预处理，制得表面清洁的金刚石样品留待后步使用；S2、将步骤S1预处理后的金刚石样品进行电子辐照，金刚石辐照后硅空位缺陷转化为GR1中性空位缺陷；S3、将步骤S2中的金刚石样品在加热炉中退火，金刚石经步骤S2产生的GR1中性空位缺陷转化为硅空位缺陷。本发明可以控制金刚石中硅空位缺陷和GR1中性空位缺陷浓度，为金刚石不同的宏观使用条件提供不同浓度的微观本征缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 空位缺陷 金刚石 金刚石样品 转化 预处理 半导体材料 加热炉 退火 金刚石切割 辐照 本征缺陷 表面清洁 电子辐照 后期处理 迁移 微观 宏观 | ||
【主权项】：
1.金刚石中硅空位缺陷与GR1中性空位缺陷相互转化的方法，其特征在于包括以下步骤：S1、将金刚石切割成尺寸为长2mm×宽2mm×厚1mm的样品，对金刚石样品进行预处理，所述预处理包括酸洗、切割、抛光和超声波清洗，超声波清洗时间为30~60min，制得表面清洁的金刚石样品留待后步使用；S2、将步骤S1预处理后的金刚石样品进行电子辐照，辐照电压为150~300KeV，辐照剂量为1×1017~5×1020e·cm2，辐照直径为80‑150μm，将辐照后的金刚石进行光致发光表征，金刚石辐照后硅空位缺陷转化为GR1中性空位缺陷；S3、将步骤S2中的金刚石样品在加热炉中退火，所述退火温度为700‑900℃，保温时间为30‑60分钟，GR1中性空位缺陷浓度降低，硅空位缺陷浓度升高，金刚石经步骤S2产生的GR1中性空位缺陷转化为硅空位缺陷。
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