[发明专利]半导体纳米晶体颗粒、多个半导体纳米晶体颗粒的群、其制造方法、和电子设备在审
| 申请号： | 201910062615.X | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN110065931A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 闵智玄;张银珠;章效淑;A.雅因;E.萨金特;O.沃兹尼;L.莱维纳;S.霍格兰德;P.托多罗维克;M.赛达米诺夫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;多伦多大学理事会 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;B82Y40/00;C01G23/00;C01G25/00;C01G27/00;C09K11/88;C09K11/67 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体纳米晶体颗粒、多个半导体纳米晶体颗粒的群、其制造方法、和电子设备，所述半导体纳米晶体颗粒包括由化学式1表示的过渡金属硫属化物，所述半导体纳米晶体颗粒具有小于或等于约100纳米的尺寸，其中M1为Ca、Sr、Ba或其组合，M2为Ti、Zr、Hf或其组合，和Cha为S、Se、Te或其组合。化学式1M1M2Cha3。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体纳米晶体 电子设备 过渡金属 硫属化物 制造 | ||
【主权项】：
1.半导体纳米晶体颗粒，包括由化学式1表示的过渡金属硫属化物，所述半导体纳米晶体颗粒具有小于或等于100纳米的尺寸：化学式1M1M2Cha3其中M1为Ca、Sr、Ba或其组合，M2为Ti、Zr、Hf或其组合，和Cha为S、Se、Te或其组合。
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