[发明专利]基于全波段减反的单晶硅表面复合微结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910051249.8 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN109853044B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 杨理理;李铖 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;C30B33/10;C30B29/06;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/08;H01L31/0236;H01L31/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈国强 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于全波段减反的单晶硅表面复合微结构及其制备方法，包括以下步骤(1)～(4)中部分或全部，其中，每个步骤执行一次或多次；(1)对硅片亲水处理，配制聚苯乙烯小球混合溶液，在硅片表面铺设掩体聚苯乙烯小球；(2)通入氧气进行刻蚀，然后通入六氟化硫、八氟环烃烷，进行刻蚀‑钝化‑刻蚀循环，得到具有纳米柱结构的单晶硅；(3)将具有纳米柱结构的单晶硅浸入含有硝酸银的酸性刻蚀液中进行表面腐蚀，得到具有纳米铅笔状结构的单晶硅；(4)在具有微结构的单晶硅进行磁控溅射，在其正面或反面或正反两面镀上减反层。本发明有效地提升了对全波段太阳能的减反效果，从而提高了太阳能电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 波段 单晶硅 表面 复合 微结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于全波段减反的单晶硅表面复合微结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤(1)～(4)中部分或全部，其中，每个步骤执行一次或多次；(1)硅基掩膜：对硅片亲水处理，配制聚苯乙烯小球混合溶液，对经过亲水处理的硅片进行掩膜，在硅片表面铺设掩体聚苯乙烯小球；(2)反应离子刻蚀：通入氧气对硅片表面的掩体聚苯乙烯小球进行刻蚀，然后通入六氟化硫、八氟环烃烷，对经氧气刻蚀后的硅片进行刻蚀‑钝化‑刻蚀循环，经后处理，得到具有纳米柱结构的单晶硅；(3)酸液刻蚀：将具有纳米柱结构的单晶硅浸入含有硝酸银的酸性刻蚀液中进行表面腐蚀，然后利用硝酸去除表面银离子，再取出后用去离子水冲洗；循环此步骤，得到具有纳米铅笔状结构的单晶硅；(4)磁控溅射：在具有微结构的单晶硅进行磁控溅射，在其正面或反面或正反两面镀上减反层；其中所述微结构为纳米柱结构、纳米铅笔状结构的一种或多种。
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