[发明专利]一种辐照环境下钨中氢滞留与脱附的多尺度模拟方法有效
| 申请号： | 201910042212.9 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN109920487B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 侯捷;孔祥山;李祥艳;吴学邦;刘长松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | G16C10/00 | 分类号： | G16C10/00 |
| 代理公司： | 合肥中谷知识产权代理事务所(普通合伙) 34146 | 代理人： | 洪玲 |
| 地址： | 23000*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种辐照环境下钨中氢滞留与脱附的多尺度模拟方法，包括以下步骤：使用二体碰撞近似方法，计算辐照产生的初级离位损伤及其空间分布；使用密度泛函理论方法，计算钨中辐照缺陷、氢的原子尺度物理参数，并推测较大缺陷团簇的物理参数；使用对象动力学蒙特卡洛方法，模拟辐照环境下，氢与辐照缺陷的长时间协同演化。本发明将DFT、BCA和OKMC方法结合，实现缺陷演化的顺序多尺度模拟，与现有的模拟方法相比，本发明在准确描述氢‑缺陷相互作用的同时，将模拟时间和空间尺度提升至小时/微米量级以上，能够方便的考察辐照离子能量、通量、温度等宏观参数对氢滞留/脱附的影响；本发明尤其适用于辐照环境下钨中氢滞留与脱附的长时间模拟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 环境 下钨中氢 滞留 尺度 模拟 方法 | ||
【主权项】：
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