[发明专利]一种交叉耦合快速过流检测电路

摘要

一种交叉耦合快速过流检测电路，属于电子电路技术领域。第三NMOS管、第四NMOS管与第五NMOS管构成电流镜，用于将偏置电流镜像过来；第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管构成交叉耦合结构，实现对过流状态的快速检测；通过设置使能管第五PMOS管、第六PMOS管和第七PMOS管对检测状态进行准确的控制；另外通过设置保护电阻和反相器能够实现控制过流检测电路内部电流不会太大和将输出信号整形。本发明通过比较器的交叉耦合结构，增强了比较器的下降沿翻转速度，实现了快速检出功率管由正常工作状态进入过流状态的功能，减小了过流检测的延时，从而提高了过流检测的精度，有助于减小过流状态对功率管的损害，提高电源系统整体的可靠性。

主权项

1.一种交叉耦合快速过流检测电路，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和限流电阻，限流电阻的一端连接电源电压，另一端连接过流检测电路的过流限比较点；第三PMOS管的栅漏短接并连接第四PMOS管的栅极和第五NMOS管的漏极，其源极连接第一PMOS管的源极和所述过流检测电路的过流限比较点；第二PMOS管的栅漏短接并连接第一PMOS管的栅极和第四NMOS管的漏极，其源极连接第四PMOS管的源极和过流检测电路的输入端；第一NMOS管的栅漏短接并连接第一PMOS管的漏极和第二NMOS管的栅极，其源极连接第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管的源极并接地；第三NMOS管的栅漏短接并连接第四NMOS管和第五NMOS管的栅极以及偏置电流；第二NMOS管的漏极连接第四PMOS管的漏极并连接过流检测电路的输出端。