[发明专利]表面带正电的聚酰胺反渗透膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910025911.2 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN111434375A | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 陈博贤;赵璇;李福志 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B01D69/02 | 分类号： | B01D69/02;B01D71/78;B01D67/00;G21F9/06 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种表面带正电的聚酰胺反渗透膜及其制备方法和应用。具体地，本发明涉及一种表面带正电的聚酰胺反渗透膜，其包含聚酰胺基础膜和接枝到所述聚酰胺基础膜上的交联聚乙烯亚胺层，其中所述交联的聚乙烯亚胺层上共价键合有季铵盐官能团，其是通过如下制备的：a)用碳化二亚胺和N‑羟基琥珀酰亚胺活化聚酰胺基础膜表面的羧基；b)用聚乙烯亚胺接枝经活化的聚酰胺基础膜；c)采用戊二醛交联剂对聚乙烯亚胺接枝的聚酰胺基础膜上的聚乙烯亚胺进行交联；和d)采用具有环氧官能团的季铵盐对交联聚乙烯亚胺接枝的聚酰胺基础膜进行改性。所得反渗透膜具有优良的分离浓缩放射性核素的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 正电 聚酰胺 反渗透 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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