[发明专利]高精度反对称式双晶片结构的形状记忆合金及制备方法

摘要

本发明涉及一种高精度反对称式双晶片结构的形状记忆合金及制备方法，结合使用电子束蒸镀(E‑beam Evaporation)与光刻胶剥离(Lift‑off Resist)的方法制造形状记忆合金薄膜结构，而不是采用传统的离子溅射方法沉积形状记忆合金薄膜后通过湿法腐蚀获得结构，因此通过本发明提出的制备方法获得的结构特征尺寸精度仅取决于光刻胶的精度，由于本发明所采用的曝光光刻胶的UV光的波长为500纳米左右，因此整体结构尺寸精度达0.5微米，是当前制造方法精度(50微米)的100倍。

主权项

1.一种高精度反对称式双晶片结构的形状记忆合金，其特征在于包括底部双晶片式形状记忆合金薄膜，顶部双晶片式形状记忆合金薄膜和驱动电极；驱动电极与底部双晶片式形状记忆合金薄膜通过支撑梁固定连接，驱动电极固定在硅片上，底部与顶部双晶片式形状记忆合金薄膜结构互为反对称，且两部分仅通过锚点(114)上下固定连接，除了锚点，上下双晶片式形状记忆合金薄膜无任何接触点，具有间隙，且底部形状记忆合金薄膜与硅片也不接触并具有间隙。