[发明专利]借助PECVD磁控管法用类金刚石碳进行涂覆在审
| 申请号： | 201880049489.8 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110914468A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | J.哈根;N.胡恩;J.林纳 | 申请（专利权）人： | 法国圣戈班玻璃厂 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00;C23C14/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 章敏;邵长准 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在安置了带有靶(9)的磁控管(10)和基底(1)的真空室(3)中使用借助磁控靶生成等离子体的PECVD法（磁控管PECVD）用类金刚石碳（DLC）层涂覆基底(1)的方法，其中所述方法包括将至少一种反应物气体引入在真空室中由磁控靶(9)生成的等离子体中，因此形成反应物气体的片段，所述片段沉积在基底(1)上以形成DLC层。根据本发明的方法适于用DLC层大面积涂覆基底(1)，例如玻璃板。所得DLC层在耐划伤性和光学性质方面具有出色质量。根据本发明的方法可用常规沉积装置实施。基底加热不是必要的。 | ||
| 搜索关键词： | 借助 pecvd 磁控管法用类 金刚石 进行 | ||
【主权项】：
暂无信息
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