[发明专利]厚波导和薄波导之间的光电路中的光上升器有效
| 申请号： | 201880042080.3 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110785687B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 马特奥·凯尔基;蒂莫·阿尔托;桑娜·阿皮艾仁 | 申请（专利权）人： | 芬兰国家技术研究中心股份公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/125;G02B6/14 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及光子电路，尤其涉及光在耦合到光子器件的光波导之间被上升传输的光子电路。硅基板(34)上的第一波导(33a)设置有第一厚度和第一折射率。在第一波导上沉积锥形第二波导(32)，该第二波导具有小于第一厚度的第二厚度以及高于所述第一折射率的第二折射率。至少一个光学有源有源材料层(31)，该层包括光子器件并以与第二波导相邻的方式沉积在第一波导上。光子器件与锥形第二波导的宽端接合以提供光耦合，并且锥形波导的相对窄端接合在第一波导之上以在所述第一波导和第二波导直接提供绝热的光传输。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 之间 电路 中的 上升 | ||
【主权项】：
1.一种光子电路，包括：/n-硅基板上的第一波导，所述第一波导的厚度为1–12μm，折射率为3–3.5；/n-第二波导，其包括非晶硅，厚度为0.1–1μm，折射率为3.1–4，所述波导为锥形，该锥形具有至少在一个方向上一端较小而相对端较大的横截面；/n-至少一个光学材料层，其设置成与所述第二波导光学地接合，所述光学材料层包括光子器件，其中，/n锥形的所述第二波导的具有较小横截面的所述端与所述第一波导接合，以在所述第一波导和所述第二波导之间提供绝热的光传输，并且其中所述光子器件与所述第二波导的具有较大横截面的所述端接合，以在所述第二波导和所述光子器件之间提供光耦合。/n
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