[发明专利]含硅前体在多孔支架材料上的分解在审
| 申请号： | 201880029192.5 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN110582823A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 亨利·R·克斯坦蒂诺;亚伦·M·费沃尔;艾弗里·J·萨克斯豪格;克里斯托弗·蒂蒙斯 | 申请（专利权）人： | 14集团技术公司 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;C01B32/05;C01B32/30 |
| 代理公司： | 11204 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王达佐;洪欣 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了硅和各种多孔支架材料的复合物及其制造方法，所述多孔支架材料例如包含微孔、中孔和/或大孔的碳材料。组合物在各种应用中具有实用性，所述应用包括电能存储电极和包含电能存储电极的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔支架材料 电能存储 电极 复合物 碳材料 大孔 微孔 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.用于产生包含多孔碳支架和硅的复合材料的方法，包括以下步骤：/na.混合聚合物前体材料并且在足以使所述前体聚合的温度下存储所得的混合物一段时间；/nb.使所得的聚合物材料碳化，以产生多孔碳材料；/nc.使所述多孔碳材料在含硅前体和烃材料的存在下经受高温，所述烃材料与所述含硅前体相比在更高的温度下分解；/nd.升高所述温度以使所述含硅前体分解，产生硅浸渍的碳材料；以及/ne.进一步升高所述温度以使所述烃材料分解，产生碳涂覆的、硅浸渍的碳材料。/n
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