[发明专利]提高镀铬基底的耐腐蚀性的方法有效
| 申请号： | 201880022120.8 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110546311B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 迭戈·达尔齐利奥;安德里亚·马丁;桑德里娜·达尔班 | 申请（专利权）人： | 科文特亚股份公司 |
| 主分类号： | C25D3/06 | 分类号： | C25D3/06;C25D5/18;C25D5/48;C25D9/04;C25D9/06;C25D11/38 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 王春伟;刘继富 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高镀铬基底的耐腐蚀性的方法，其中将镀铬基底的至少一部分镀铬表面浸入包含三价铬离子、至少一种导电盐和至少一种还原剂的电解质中，然后通过在镀铬表面和通过电解质与镀铬表面电连接的对电极之间施加脉冲反向电流，在镀铬表面的至少一部分上形成三价铬氧化物膜。此外，本发明涉及可通过该方法获得的镀铬基底。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 镀铬 基底 腐蚀性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增加镀铬基底的耐腐蚀性的方法，所述方法包括以下步骤：/na)将镀铬基底的镀铬表面的至少一部分浸入电解质中，所述电解质包含三价铬离子，其中所述三价铬离子在电解质中的浓度为0.001M至0.1M，/n至少一种导电盐，其中所述至少一种导电盐在电解质中的浓度为2g/L至50g/L，和/n至少一种还原剂，其中所述至少一种还原剂在电解质中的浓度为0.1g/L至50g/L，/nb)通过在镀铬表面和通过电解质与镀铬表面电连接的对电极之间施加脉冲反向电流，在镀铬表面的至少一部分上形成三价铬氧化物膜。/n
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