[发明专利]纳米孔阱结构和方法有效
| 申请号： | 201880018098.X | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110383065B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 区永基;R.L.西瑟洛;陈国钧;J.福斯特;黄焕岱;P.帕瓦兰德;K.A.亨内 | 申请（专利权）人： | 豪夫迈·罗氏有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/487 | 分类号： | G01N33/487;B01L3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张一舟;谭祐祥 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 纳米孔电池可包括在阱底部处具有工作电极的阱。阱可以形成在介电层内，其中阱的侧壁可以由涂覆介电层的壁的电介质或其他材料形成。具有不同疏水性和亲水性的各种材料可用于提供所需的电池性能。纳米孔电池中的纳米孔可以插入在阱上形成的膜中。可以使用各种技术来提供例如用于形成阱的材料和方法所需的形状和其他性质。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.纳米孔电池，包括：衬底；设置成覆盖衬底顶部的导电层；覆盖导电层的第一介电层，该第一介电层具有暴露导电层的一部分的开口；设置在第一介电层的开口中的电极层，该电极层具有在第一介电层上延伸的悬垂部分；第二介电层，该第二介电层设置在第一介电层上；在所述第二介电层中的腔，所述腔暴露所述电极层的至少一部分，所述腔包括在所述电极的悬垂部分上方的所述第二介电层的底切部分；以及由腔形成的阱，该阱具有由电极层的顶表面形成的底部基底和由第二介电层形成的阱侧壁。
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