[发明专利]二次电池用硅氧化物负极的预锂化方法有效
| 申请号： | 201880004953.1 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110062973B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡午秉;宋俊赫;金银卿;姜允雅;禹相昱 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01M4/1391 | 分类号： | H01M4/1391;H01M4/04;H01M4/131;H01M10/0525;H01M4/485 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二次电池用硅氧化物负极的预锂化方法，并且更具体地，涉及一种硅氧化物负极的预锂化方法，所述方法在组装锂二次电池的步骤之前，将硅氧化物负极浸入电解质中，并且在其变湿之后，在向所述硅氧化物负极施加压力的同时，使锂金属与所述硅氧化物负极直接接触。经历了由本发明提供的预锂化步骤的二次电池用硅氧化物负极具有改善的不可逆性，并且通过使用所述二次电池用硅氧化物负极所制造的二次电池具有优异的充电和放电效率。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 氧化物 负极 预锂化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二次电池用硅氧化物负极的预锂化方法，所述方法包括：将二次电池用硅氧化物负极浸入电解液中进行润湿的第一步骤；和使所述经润湿的二次电池用硅氧化物负极与锂金属直接接触的第二步骤。
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