[发明专利]访问指令SRAM的方法和电子设备在审
| 申请号： | 201880000220.0 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN110476153A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 吴双;刘丹;刘育峰;靳文鹤 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/20 | 分类号： | G06F11/20 |
| 代理公司： | 11329 北京龙双利达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 范华英;毛威<国际申请>=PCT/CN2 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种访问指令SRAM的方法和电子设备，在指令SRAM中的一些地址的内容出现异常之后，ICE预防指令SRAM出现的工作异常，提高系统的可靠性。该方法应用于电子设备，该电子设备包括第一控制器、指令SRAM和ICE；该方法包括：该ICE接收该第一控制器访问该指令SRAM的第一地址；若该第一地址与第二地址相同，该ICE向该第一控制器发送第一指令，该第二地址为该指令SRAM中异常的地址单元所对应的地址，该第一指令为该异常的地址单元的正确指令；或者若该第一地址与该第二地址不同，该ICE从该指令SRAM中获取该第一地址对应的第二指令，以及向该第一控制器发送该第二指令。 | ||
| 搜索关键词： | 指令 电子设备 控制器 地址单元 发送 控制器访问 地址对应 访问指令 工作异常 申请 预防 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。/n
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