[实用新型]一种CMOS温度传感器电路有效

专利信息
申请号: 201822202472.1 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN209841222U 公开(公告)日: 2019-12-24
发明(设计)人: 黄臻妍;唐中;史峥 申请(专利权)人: 杭州广立微电子有限公司
主分类号: G01K7/01 分类号: G01K7/01
代理公司: 33214 杭州丰禾专利事务所有限公司 代理人: 李久林
地址: 310012 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及一种CMOS温度传感器电路,该电路具备第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、运算放大器、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关、比较器和计数器。比较器的一个端口控制第一、第三、第五开关的通断,比较器的另一端口信号线控制第二、第四、第六开关的通断;当第一、第三、第五开关导通时电路工作在充电模式下,当第二、第四、第六开关导通时电路工作在放电模式下。当电路工作在充电模式下时,流过第二电阻的的电流与绝对温度成正比;所述电路工作在放电模式下时,流过第一电阻的的电流与绝对温度成反比。本实用新型基于运放实现了两种电流产生电路的复用。
搜索关键词: 电路 比较器 本实用新型 充电模式 放电模式 开关导通 电阻 通断 温度传感器电路 电流产生电路 计数器 端口信号线 运算放大器 第一开关 端口控制 成正比 复用 运放
【主权项】:
1.一种CMOS温度传感器电路,其特征在于具备:/n第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管的源极共接于VDD,第一MOS管的栅极与第二MOS管的栅极相连,第二MOS管的栅极与第三MOS管的栅极相连;/n运算放大器的第一端口分别连接第一双极型晶体管和第一MOS管,运算放大器的第二端口分别连接第一开关和第二开关,运算放大器的第三端口连接到第一MOS管和第二MOS管的栅极,第一双极型晶体管的另一端连接GND;/n第四开关与第一电阻串联,第三开关、第二电阻与第二双极型晶体管串联,上述第四开关与第一电子的串联支路和第三开关、第二电阻和第二双极型晶体管的串联支路并联在第二MOS管的漏极与GND之间;/n第四MOS管的栅极与第五MOS管的栅极相连,第四MOS管的漏极通过第六开关连接到第三MOS管的漏极,第五MOS管的漏极连接到比较器的第二端口,且第四MOS管和第五MOS管的源极连接GND,第四MOS管的漏极与栅极相连;/n比较器的第一端口输入参考电压,第二端口分别与负载电容、第五MOS管的漏极、第五开关的一端相连,且第五开关的另一端连接在第三MOS管的漏极,负载电容的另一端连接GND,比较器的第三端口与第一、第三、第五开关相连,比较器的第四端口与第二、第四、第六开关相连;比较器的第四端口还连接到计数器的输入端,比较器的第五端口输入时钟信号;其中,所述第一、第三、第五开关之间的通断状态相同,第二、第四、第六开关之间的通断状态相同,第一、第三、第五开关与第二、第四、第六开关的通断状态相反。/n
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