[实用新型]一种半导体激光器驱动电路及激光雷达有效
| 申请号： | 201822148726.6 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN209389446U | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 范玉强;王泮义 | 申请（专利权）人： | 北京万集科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100193 北京市海淀区东*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体激光器驱动电路，包括：多路充电及储能模块，包括：外接高压源、限流电阻、整流二极管、储能电容，用于储存激励激光管发光的高压；激光发射模块，包括：多个半导体激光管，用于产生激光脉冲；多路激光发光控制模块，包括：NMOS、激光驱动脉冲信号，用于控制所述激光发射模块分时发光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器驱动 激光发射模块 多路 电路 半导体激光管 发光控制模块 激光驱动脉冲 本实用新型 整流二极管 储能电容 储能模块 分时发光 激光雷达 激光脉冲 限流电阻 高压源 激光管 外接 充电 发光 激光 储存 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器驱动电路，其特征在于,包括N路充电及储能模块、激光发射模块、N路激光发光控制模块；所述N路充电及储能模块，64≥N≥2，其中每路中又包括：限流电阻Ri、整流二极管Di、储能电容Ci；所述限流电阻一端Ri与所述整流二极管Di相连接，所述整流二极管Di与所述储能电容Ci相连接；每路中的所述限流电阻Ri的另一端相互连接，并与外接高压相连，所述N路充电及所述储能模块用于储存激励激光管发光的高压；所述激光发射模块，包括N个半导体激光管，每个所述半导体激光管的阳极与所述N路充电及所述储能模块中的充电电容Ci相连，用于产生激光脉冲；所述N路激光发光控制模块，64≥N≥2，其中每路中包括NMOS管、激光驱动脉冲信号，每路的NMOS管Qi漏极与所述激光发射模块对应的半导体激光管的阴极相连，所述NMOS管Qi源极与地连接，所述NMOS管Qi栅极与激光驱动信号相连接；所述N路激光发光控制模块用于控制所述激光发射模块分时发光。
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