[实用新型]一种射频前端电路有效
| 申请号： | 201822127695.6 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN209105172U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 熊正东 | 申请（专利权）人： | 珠海泰芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/40 | 分类号： | H04B1/40;H04B1/401 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 闫有幸 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市香洲区高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种射频前端电路，包括低噪声放大器、I路混频器、Q路混频器以及级联电路；所述低噪声放大器用于将单端信号转换成差分信号并放大；所述级联电路接收所述低噪声放大器输出差分信号，输出差分信号给所述I路混频器以及Q路混频器；所述I路混频器以及Q路混频器用于将差分信号进行混频后输出；所述级联电路包括第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8以及第九NMOS管N9组成的共源极放大器，提高了级联电路的共模抑制比，使得级联电路输出到I路混频器以及Q路混频器的差分信号具有更好的差分特性。 | ||
| 搜索关键词： | 混频器 级联电路 低噪声放大器 差分信号 射频前端电路 输出差 共源极放大器 本实用新型 共模抑制比 单端信号 输出 混频 放大 转换 | ||
【主权项】：
1.一种射频前端电路，包括低噪声放大器、I路混频器、Q路混频器以及级联电路；所述低噪声放大器用于将单端信号转换成差分信号并放大；所述级联电路接收所述低噪声放大器输出差分信号，输出差分信号给所述I路混频器以及Q路混频器；所述I路混频器以及Q路混频器用于将差分信号进行混频后输出，其特征在于：所述级联电路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管以及第九NMOS管；所述第七NMOS管的栅极与所述第八NMOS管的栅极接收差分信号；所述第七NMOS管的源极以及所述第八NMOS管的源极与所述第九NMOS管的漏极连接，所述第九NMOS管的源极接地；所述第七NMOS管的漏极以及所述第八NMOS管的漏极分别与所述第三PMOS管的漏极以及所述第四PMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管的源极以及所述第四PMOS管的源极接电源；所述第三PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的漏极输出差分信号。
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