[实用新型]基于电感峰化和前馈电容补偿的VCSEL激光器驱动电路有效

专利信息
申请号: 201822011415.5 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN209150485U 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 赵聪;郭迪;孙向明 申请(专利权)人: 华中师范大学
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 胡建平;杨晓燕
地址: 430079 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 基于电感峰化和前馈电容补偿的VCSEL激光器驱动电路,包括第一、第二NMOS管,第一、第二PMOS管;第一NMOS管的栅极接第一输入电压,漏极一方面通过第一电阻、第一电感与电源电压相连,另一方面通过第一电容分别与第二PMOS管的栅极和漏极相连接,源极与电流源相连接;第二NMOS管的栅极接第二输入电压,漏极通过第二电阻、第二电感与电源电压相连,源极与电流源相连接;第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极、漏极相连接,漏极与第二NMOS管的漏极和激光二极管的阳极相连接,源极连接电源电压;第二PMOS管的漏极与电流源相连接,源极连接电源电压;激光二极管的阴极接地。本实用新型采用电感峰化和电容前馈技术同时配合使用,有效提高驱动芯片输出级带宽。
搜索关键词: 漏极 电源电压 电感峰化 电流源 电感 激光二极管 前馈电容 驱动电路 输入电压 源极连接 电容 电阻 源极 本实用新型 驱动芯片 阴极接地 阳极 输出级 前馈 带宽
【主权项】:
1.基于电感峰化和前馈电容补偿的VCSEL激光器驱动电路,其特征在于:包括第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2,第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2,第一电容C1、第二电容C2,第一电阻R1、第二电阻R2,第一电感L1、第二电感L2和激光二极管VCSEL;所述第一NMOS管NM1的栅极接第一输入电压Vinp,第一NMOS管NM1的漏极一方面通过第一电阻R1、第一电感L1与电源电压VDD相连,另一方面通过第一电容C1分别与第二PMOS管PM2的栅极和漏极相连接,第一NMOS管NM1的源极与电流源Imod相连接;所述第二NMOS管NM2的栅极接第二输入电压Vinn,第二NMOS管NM2的漏极通过第二电阻R2、第二电感L2与电源电压VDD相连,第二NMOS管NM2的源极与电流源Imod相连接;所述第一PMOS管PM1的栅极与所述第二PMOS管PM2的栅极、漏极相连接,第一PMOS管PM1的漏极与所述第二NMOS管NM2的漏极和激光二极管VCSEL的阳极相连接,第一PMOS管PM1的源极连接电源电压VDD;所述第二PMOS管PM2的漏极与电流源Ibias相连接,第二PMOS管PM2的源极连接电源电压VDD;所述激光二极管VCSEL的阴极接地。
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