[实用新型]基于FinFET的三值SRAM单元电路有效
| 申请号： | 201821917820.7 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN209070995U | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 杭国强;卢杰;王思远;李焕;胡晓慧;章丹艳 | 申请（专利权）人： | 浙江大学城市学院 |
| 主分类号： | G11C11/402 | 分类号： | G11C11/402 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 张羽振 |
| 地址： | 310015*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及基于FinFET的三值SRAM单元电路，包括：由FinFET晶体管构成的两个三值反相器交叉耦合所组成的逻辑值存储基本元件，所述逻辑值存储基本元件包含两个三值反相器，包括两个P沟道FinFET晶体管M1和M3，四个N沟道FINFET晶体管M2、M4、M5和M6；两个由FinFET晶体管构成的传输门作为存取管，所述两个存取管分别由N沟道FinFET晶体管M11、P沟道FinFET晶体管M12N沟道晶体管M9、P沟道晶体管M10构成。本实用新型的有益效果是：本实用新型电路通过两个三值反相器交叉耦合所组成的逻辑值存储基本元件、由传输门构成的存取管以及两个和内部节点分开的晶体管组建的三值SRAM单元电路，采用隔离和交叉耦合技术，实现了SRAM的三值存储，并增强三值数据存储的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 三值反相器 基本元件 交叉耦合 电路 存储 存取 传输门 沟道晶体管 内部节点 数据存储 晶体管 隔离 组建 | ||
【主权项】：
1.一种基于FinFET的三值SRAM单元电路，其特征在于，包括：由FinFET晶体管构成的两个三值反相器交叉耦合所组成的逻辑值存储基本元件，所述逻辑值存储基本元件包含两个三值反相器，包括两个P沟道FinFET晶体管M1和M3，四个N沟道FINFET晶体管M2、M4、M5和M6；两个由FinFET晶体管构成的传输门作为存取管，所述两个存取管分别由N沟道FinFET晶体管M11、P沟道FinFET晶体管M12N沟道晶体管M9、P沟道晶体管M10构成；两个和内部节点分开的FinFET晶体管组建上述基于FinFET的三值SRAM单元电路，所述与内部节点分开的FinFET晶体管由P沟道FinFET晶体管M7、N沟道FinFET晶体管M8构成；所述P沟道FinFET晶体管M1、M3、M7的源级接工作电压Vdd，N沟道FinFET晶体管M2、M4、M8的源级接地；所述N沟道FinFET晶体管M5、M6的漏级接电压Vddl，其中Vddl＝Vdd/2；所述与内部节点分开的FinFET晶体管其中P沟道FinFET晶体管M8和N沟道FinFET晶体管M7的栅极接逻辑值存储单元中节点QB，漏极接右侧存取管的输出。
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