[实用新型]一种基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器有效
| 申请号： | 201821749048.2 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN208924194U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 秦鹏举;卢昌鹏 | 申请（专利权）人： | 上海海栎创微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/21;H03F3/26 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区丹桂*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器，包括：MOS管输出模块，包括接入第一偏置电压的第一端口和接入第二偏置电压的第二端口；MOS管偏置控制模块，包括第一N型偏置MOS管、第二N型偏置MOS管，第一P型偏置MOS管、第二P型偏置MOS管；第二P型偏置MOS管分别与第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出第一偏置电压；第二N型偏置MOS管分别与第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出第二偏置电压；其中，第一N型偏置MOS管与第二P型偏置MOS管之间串联若干个N型限压MOS管，第一P型偏置MOS管与第二N型偏置MOS管之间串联若干个P型限压MOS管。本实用新型能够实现不额外使用高压MOS器件或者特别开发的减小衬底电流的MOS器件消除正反馈，降低AB类放大器底噪的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 串联 偏置电压 限压 底噪 本实用新型 高压MOS器件 衬底电流 偏置控制 输出模块 正反馈 输出 减小 开发 | ||
【主权项】：
1.一种基于串联限压MOS管降低底噪的AB类放大器，其特征在于，包括：MOS管输出模块，包括接入第一偏置电压的第一端口和接入第二偏置电压的第二端口；MOS管偏置控制模块，包括第一N型偏置MOS管、第二N型偏置MOS管，第一P型偏置MOS管、第二P型偏置MOS管；所述第二P型偏置MOS管分别与所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出所述第一偏置电压；所述第二N型偏置MOS管分别与所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出所述第二偏置电压；其中，所述第一N型偏置MOS管与所述第二P型偏置MOS管之间串联若干个N型限压MOS管，所述第一P型偏置MOS管与所述第二N型偏置MOS管之间串联若干个P型限压MOS管。
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