[实用新型]基于DMOS管的跨电压域的电平转移电路及芯片有效
| 申请号： | 201821721798.9 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN209072341U | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘鑫 | 申请（专利权）人： | 珠海市一微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158;H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 519000 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开基于DMOS管的跨电压域的电平转移电路及芯片，包括低电压域电路和高电压域电路，当所述低电压域电路包括电流镜结构和一组DMOS管对时，所述高电压域电路包括旁路MOS管结构和相互耦合的正反馈结构的MOS管对；当所述高电压域电路包括电流镜结构和一组DMOS管对时，所述低电压域电路包括旁路MOS管结构和相互耦合的正反馈结构的MOS管对。所述电平转移电路用于根据电流镜结构输入的镜像电流（IB）及旁路MOS管结构的上拉作用控制一组高压MOS管对的漏源电压，使得构成相互耦合的正反馈结构的MOS管对在不产生穿通电流的前提下实现电平的快速转移。 | ||
| 搜索关键词： | 低电压域电路 电平转移电路 高电压域电路 电流镜结构 正反馈 耦合的 旁路 电压域 对时 芯片 本实用新型 高压MOS管 镜像电流 快速转移 漏源电压 作用控制 穿通 上拉 | ||
【主权项】：
1.基于DMOS管的跨电压域的电平转移电路，包括：低电压域电路和高电压域电路，其中，低电压域电路所接入的电压域为低压电源域，高电压域电路所接入的电压域为高压电源域；其特征在于，所述电平转移电路包括电流镜结构、旁路MOS管结构、两个构成相互耦合的正反馈结构的MOS管对和一组DMOS管对，所述电平转移电路用于根据电流镜结构输入的镜像电流(IB)及旁路MOS管结构的上拉作用控制一组高压MOS管对的漏源电压，使得构成相互耦合的正反馈结构的MOS管对在不产生穿通电流的前提下实现电平的快速转移；其中，当所述电平转移电路将输入的低压电源域信号转换为输出的高压电源域信号时，所述的一组DMOS管对和所述电流镜结构是所述低电压域电路的组成部分，所述旁路MOS管结构和所述构成相互耦合的正反馈结构的MOS管对是所述高电压域电路的组成部分；当所述电平转移电路将输入的高压电源域信号转换为输出的低压电源域信号时，所述电流镜结构和所述的一组DMOS管对是所述高电压域电路的组成部分，所述旁路MOS管结构和所述构成相互耦合的正反馈结构的MOS管对是所述低电压域电路的组成部分。
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