[实用新型]一种阵列式磁路系统有效
| 申请号： | 201821302082.5 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN208754541U | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈志 | 申请（专利权）人： | 惠州迪芬尼声学科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R9/02 | 分类号： | H04R9/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫;黄寿华 |
| 地址： | 516223 广东省惠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种阵列式磁路系统，包括T铁、磁钢和华司，其中所述T铁包括底板，及位于底板上方两个以上的呈阵列式分布的中柱；所述磁钢设置于每个中柱的两侧，为磁路系统提供磁能量；所述华司开设有与所述中柱相对应结合的孔位；所述华司紧密连接于T铁上。该阵列式磁路系统，在多磁路组合的情况下将T铁和华司分别作成一个部件，能更好的控制产品的精度；同时，T铁、磁钢和华司形成的阵列式磁路系统，可以最大限度的降低漏磁，提高磁钢性能的利用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 华司 阵列式磁路 磁钢 底板 本实用新型 阵列式分布 磁路系统 紧密连接 磁能量 多磁路 孔位 漏磁 | ||
【主权项】：
1.一种阵列式磁路系统，其特征在于，包括：T铁（1），所述T铁（1）包括底板（11），及位于底板（11）上方两个以上的呈阵列式分布的中柱（12）；磁钢（2），所述磁钢设置于每个中柱（12）的两侧；以及华司（3），所述华司（3）开设有与所述中柱（12）相对应结合的孔位（31）；所述华司（3）紧密连接于T铁（1）上。
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