[实用新型]一种基于多层介质膜上银纳米线电场模式的宽场超分辨显微成像装置有效
| 申请号： | 201821107147.0 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN208547762U | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 向益峰;张斗国;王茹雪;王沛;明海 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G02B21/00 | 分类号： | G02B21/00;G02B27/58 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明;邓治平 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于多层介质膜上银纳米线电场模式的宽场超分辨显微成像装置，包括：玻璃基底层(1)、多层介质膜(2)、银纳米线(3)和光纤锥(4)；在多层介质表面的银纳米线存在一种的本征模式，电场主要分布在银纳米线两侧，通过光纤锥，590nm激光的可以近场激发银纳米线的模式，在光的传输过程中，光会泄露到多层介质膜中，并以一定的角度辐射下去，在基片下面用高数值孔径油浸显微物镜收集信号并在远场成像，在远场可以分辨银纳米线两侧的泄露的光信号，由于银纳米线直径在100nm以下，小于整个成像系统的分辨率，该装置实现了对银纳米线两侧光场的宽场超分辨成像。 | ||
| 搜索关键词： | 银纳米线 多层介质膜 宽场 显微成像装置 电场模式 超分辨 光纤锥 泄露 本实用新型 超分辨成像 高数值孔径 本征模式 成像系统 传输过程 多层介质 角度辐射 显微物镜 远场成像 装置实现 电场 玻璃基 分辨率 光场 近场 油浸 远场 分辨 激光 激发 | ||
【主权项】：
1.一种基于多层介质膜上银纳米线电场模式的宽场超分辨显微成像装置，其特征在于：包括：玻璃基底层(1)、多层介质膜(2)、银纳米线(3)和光纤锥(4)；其中，银纳米线(3)分散在乙醇中，滴在多层介质膜(2)上，待乙醇挥发之后，用传输590nm激发的光纤锥(4)靠近银纳米线，激发银纳米线(3)的电场模式。
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